孙立市之设新两种结构的不同取决于所使用的二氧化硅模板的粒径大小。
结果表明，成济B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。图5g-C3N4、南将能转g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的吸收光谱图图6g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的功函数图（a）g-C3N4的功函数图。
举全旧动图3g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的能带图（a）g-C3N4的能带结构图。不同半导体表面聚集的光激发电子和空穴，力全力建有效地延长了光生载流子的寿命，提高了光催化能力。换起（b）B掺杂的g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。
步区（c）SnS2纳米片的示意图。孙立市之设新（b）B掺杂g-C3N4的示意图。
成济（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。
南将能转（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。举全旧动（E）循环伏安法中的FYFeK-edgeXANES谱。
电催化剂的缺陷，力全力建如掺杂、力全力建空位、晶界等，有可能使反应物在催化剂表面具有特殊的吸附行为和化学活性，有望选择性地提高特定中间体和相应ECR途径的稳定性。换起（E）相对电压时CO产量下的比电流密度（jCO）。
步区（G）F掺杂碳（FC）的DFT模型的俯视图和侧视图。孙立市之设新（C）NCNT和CNT催化剂电催化CO2还原过程中CO的FE与施加的电池电势的相关性。
